Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3466 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19-39, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 15T, тайминги 15-16-16-36, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19-39, напряжение 1.35 В

одноканальный (1 модуль), частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В

частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В